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碳化硅功率器件的低雜散電感封裝技術(shù)介紹[ 09-01 16:56 ]: 目前已有的大部分商用SiC器件仍采用傳統(tǒng)Si器件的封裝方式。傳統(tǒng)封裝技術(shù)成熟，成本低，而且可兼容和替代原有Si基器件。但傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其雜散電感參數(shù)較大，在碳化硅器件快速開(kāi)關(guān)過(guò)程中造成嚴(yán)重電壓過(guò)沖，也導(dǎo)致?lián)p耗增加及電磁干擾等問(wèn)題。而雜散電感的大小與開(kāi)關(guān)換流回路的面積相關(guān)。其中，金屬鍵合連接方式、元件引腳和多個(gè)芯片的平面布局是造成傳統(tǒng)封裝換流回路面積較大的關(guān)鍵影響因素。消除金屬鍵合線可以有效減小雜散電感值，將其大小控制在5nH以下。下面就其中典型的封裝結(jié)構(gòu)分別進(jìn)行介紹。 ①單管翻轉(zhuǎn)貼片封裝阿肯

什么是SiCf/SiC復(fù)合材料[ 08-30 16:24 ]: SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料是指在SiC陶瓷基體中引入SiC纖維作為增強(qiáng)材料，形成以引入的SiC增強(qiáng)纖維為分散相，以SiC陶瓷基體為連續(xù)相的復(fù)合材料。SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料保留了SiC陶瓷耐高溫、高強(qiáng)度、抗氧化、耐腐蝕、耐沖擊的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼具SiC纖維增強(qiáng)增韌作用，克服了SiC陶瓷斷裂韌性低和抗外部沖擊載荷性能差的先天缺陷。SiCf/SiC復(fù)合材料作為一種綜合性能優(yōu)異的高溫?zé)峤Y(jié)構(gòu)材料，在航空、航天、核能、汽車等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，成為目前各個(gè)西方國(guó)家的研究熱點(diǎn)。

C/SiC陶瓷基復(fù)合材料應(yīng)用[ 08-29 17:21 ]: 碳纖維不僅具有密度低、比強(qiáng)度高、耐磨、耐腐蝕、導(dǎo)電、導(dǎo)熱、摩擦系數(shù)低等特性，而且還具備十分優(yōu)異的高溫力學(xué)性能，其在惰性氣氛、2000℃以上環(huán)境中，力學(xué)性能仍然不下降。但其高溫抗氧化性較差，因此通常與金屬、陶瓷、樹(shù)脂等復(fù)合，制備應(yīng)用于航空航天、軍事工業(yè)等尖端技術(shù)領(lǐng)域的先進(jìn)復(fù)合材料。在熱結(jié)構(gòu)陶瓷基復(fù)合材料領(lǐng)域中，碳化硅以其優(yōu)異的高溫力學(xué)性能（強(qiáng)度、抗氧化性、抗蠕變性等）、低的熱膨脹系數(shù)和摩擦系數(shù)、優(yōu)良的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性，成為基體材料的主要候選之一。然而SiC陶瓷的缺點(diǎn)是脆性較大。 C/SiC陶瓷基復(fù)合材料通過(guò)

牛津儀器推出新型SiC外延襯底化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）解決方案[ 08-27 16:47 ]: 據(jù)粉體圈整理消息：8月22日，牛津儀器（OxfordInstrumentsplc）旗下等離子技術(shù)公司（PlasmaTechnology）推出一種新型SiC外延襯底化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的替代解決方案——等離子拋光干法蝕刻（PPDE），它不僅更清潔、環(huán)保、低成本，并且更穩(wěn)定。 CMP多年來(lái)一直是SiC襯底制備的最好選擇，但它存在不良率的頑疾，這在當(dāng)前滿足SiC需求增長(zhǎng)十分不利。首先，CMP漿料存在一定毒性，晶圓廠的CMP流程會(huì)對(duì)環(huán)境造成很大影響，并且大量消耗水資源；其次，CMP所須的拋光

晶盛機(jī)電成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體[ 08-26 17:05 ]: 8月12日消息，經(jīng)過(guò)晶體實(shí)驗(yàn)室研發(fā)團(tuán)隊(duì)半年多的技術(shù)攻關(guān)，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標(biāo)志著晶盛第三代半導(dǎo)體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代，同時(shí)這也是晶盛在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的又一標(biāo)志性成果。據(jù)了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。在技術(shù)上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長(zhǎng)過(guò)程中多個(gè)難點(diǎn)問(wèn)題，比如溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等等。此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過(guò)高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛

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